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屏蔽箱常识

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屏蔽箱如何提高屏蔽效果

时间:2013-12-19来源:深圳佳晨屏蔽箱企业

 

  屏蔽箱阐述,当场强很强时,厚度的选取应使材料工作于磁导率最大的场强下。如当材料的磁导率在场强为2300-2500Gs时磁导率最大,则所需厚度为t=1.25dHo/B(英寸)如直径1.5″,长度6″的屏蔽体置于80Gs的磁场中,所需的厚度是0.060″。磁场衰减率:用下式估算:A=μt/d

  用此式对上面的数据计算可得到,当材料磁导率为350000时,其衰减率为14000。磁通密度:被屏蔽空间内磁通密度为B=Ho/A(Gs)同样利用以上数据,则被屏蔽空间的磁场为0.0057Gs。更多的设计要点:

  开始设计前要正确估算干扰场的大小和频率,其次,正确评价能承受的干扰场的大小。用以屏蔽很强的磁场时,可采用多层屏蔽的结构。如果可能,两层屏蔽体间保留1/2″的间隙。在屏蔽如真空泵产生的强磁场时,要采用多层屏蔽结构。其中内层用低磁导率材料,中间层用中磁导率材料,外层用高磁导率材料。

  用单层结构屏蔽如CRTs等及其敏感的设备时,应在离设备5″处形成一个完整的屏蔽体;当型号很大时,只需对关键部分如磁轭等部位进行屏蔽即可。对于极低场的要求,通常采用3层屏蔽的方式,其中外层屏蔽用高磁导率材料,在内外屏蔽层间是Cu层。在Cu层上通以强的交流电流可对内屏蔽层消磁,同时Cu层还可以屏蔽静磁场的干扰。对于磁屏蔽结构,在材料厚度允许的时候可采用搭接点焊,交接尺寸至少3/8″。在直径发生变化或结构拐角的地方,应采用氦弧焊。

  使用片状材料的要点:在屏蔽小元件时,刚性结构加工应用都不方便,这时片状材料是一个很好的选择,但要注意以下事项:为减少磁散射发生,结构中应避免出现 尖锐的拐角;如果结构上需要开孔或缝,则应力求其边角采用圆弧形式。当屏蔽圆柱形物体时,每一层的搭接尺寸不少于3/4″,而且第一层的接口位于180°的位置,则下一层的接口位于90°的位置,再下一层又位于180°的位置,如此等等。

  屏蔽箱提醒,为了提高屏蔽效果,每两层屏蔽间保留3-4倍于薄片厚度的空间。因为薄片材料具有极高的磁导率,因此使用中应避免连续螺旋状卷绕它,否则将有可能在屏蔽体中产生相当于磁极的结构。当在薄片材料上钻孔时,应确保是在正确的加工片状金属的条件下进行,而不是在普通的金属加工条件下操作,因为普通的操作方式会产生螺丝起子效应导致薄片发生弯曲,从而减小材料的磁导率,导致屏蔽效果的降低。

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